最关键的是,当前能制造光刻机的厂商,全球仅4家,分别是荷兰ASML(阿斯麦)、日本尼康(Nikon)、日本佳能(Canon)和中国上海微电子装备有限公司(SMEE),且这4家差距非常大。

特别是EUV光刻机,这种制造7nm以下芯片的光刻机,全球仅ASML一家能够制造,所以ASML的EUV是奇货可居,全球需要制造先进芯片的厂商,都得找它买。
而美国在中间搞风搞雨,控制着ASML,不允许其向中国销售EUV光刻机,甚至对高端的浸润式DUV,也进行限制,所以对于我们而言,必须研发出自己的光刻机才行。

问题就来了,目前国产光刻机,究竟走到哪一步了?
目前国产公开的,光刻机最强的是上海微电子,公开的光刻机是SSA600,按照官方说法,可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求,可用于8寸产线或12寸产线。
不过,也人有称,目前国内还有另外的光刻机,毕竟去年就表示过,有氟化氩光刻机,套刻精度小于等于8nm,它可其实可以说是浸润式DUV光刻机前,最接近浸润式光光刻机的产品了,可以用于28nm的工艺。

不过,不管是这台SSA600,还是氟化氩光刻机,只要没有达到浸润式,那么再先进,也是先进的有限。
ASML的CEO,虽然一直说如果限制光刻机卖给中国,那么中国就有可能会研发出先进的光刻机,然后取代ASML,但对方也在说,目前中国的光刻机技术,落后ASML至少10年以上。
因为ASML早在10多年前,就已经搞出了浸润式DUV,而我们离浸润式DUV,都还没有搞定,这中间的差距,不就是10多年么?

有人称,目前美国打压我们芯片产业的核心,其实就是光刻机,如果我们有了自己的先进光刻机,特别是EUV光刻机,那么针对我们的芯片打压,就再也无效了,但是这台EUV光刻机有多难,估计很多人并不清楚,是真的也许5年、8年,都不一定能研发的出来啊。

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